Design of edge termination for GaN power Schottky diodes

The GaN Schottky diodes capable of operating in the 300–700-V range with low turn-on voltage (0.7 V) and forward conduction currents of at least 10 A at 1.4 V (with corresponding forward current density of 500 A/cm²) are attractive for applications ranging from power distribution in electric/hybrid electric vehicles to power management in spacecraft and geothermal, deep-well drilling telemetry. A key requirement is the need for edge-termination design to prevent premature breakdown because of field crowding at the edge of the depletion region. We describe the simulation of structures incorporating various kinds of edge termination, including dielectric overlap and ion-implanted guard rings. Dielectric overlap using 5-μm termination of 0.1–0.2-μm-thick SiO₂ increases the breakdown voltage of quasi-vertical diodes with 3-μm GaN epi thickness by a factor of ∼2.7. The use of even one p-type guard ring produces about the same benefit as the optimized dielectric overlap termination.     

浅谈农村灌溉期间低电压问题及预控措施

随着社会生产力的发展,电能逐渐成为农业生产中不可或缺的生产要素。农村在灌溉期间,灌溉负荷会在短时间内剧增,导致供电企业电压供电能量剧增。还容易出现低电压问题,线路过载和电压过低一方面会损坏供电设施,加快供电线路老化,还会烧坏水泵,因此灌溉期低电压成了急需解决的问题。     

环形钛酸锶元件电性能的控制研究

研究了不同LiOH掺杂量和烧结温度对环形钛酸锶元件电性能的影响。实验结果表明,随着LiOH含量的增加,压敏电压先降低,后升高,在x(LiOH)为4.5%时,电压呈现最低值;同时,烧结温度也是影响电性能的重要因素之一,1400℃是电性能发生明显变化的转折点。借助SEM对样品进行了观察和分析,发现LiOH主要是通过影响晶界的行为来控制元件宏观的电性能。     

变频调速应用技术（十一）——第六讲经济效益赞变频（上）

本文分析了节能问题的几个方面。主要有：负载需求与节能的关系，调速方法与节能的关系，以及大马拉小车的节能问题等。     

低气压毛细管放电特性研究

利用一台毛细管快放电X射线激光装置．研究了预脉冲作用下氩气和氦气在10～120Pa压强范围内对毛细管放电的击穿特性。实验结果表明只有10～15kV放电电压才能将内径为3mm．长度为90mm的毛细管中10～120Pa的氩气击穿，同时电极表面的形态对击穿电位也有较大影响。对预、主脉冲作用下毛细管放电规律及Z箍缩过程中阻抗变化规律进行了研究，发现不同长度的氩气柱在箍缩过程中的阻抗变化趋势基本相同。不同长度、不同放电电压情况下，毛细管阻抗均达到最小值5n左右．同时电流达到峰值。该结果为在相同放电电压下．对不同长度毛细管放电获得相同的电流峰值提供了可能。     

体育教学中的第二课堂网络平台构建

随着现代信息技术的发展,网络成为当前新型的教学方式和方法,而受到广大师生的欢迎。而以网络为代表的第二课堂可逐步受到体育教师对重视。本文采用网络技术,构建了体育网络综合教学平台,为开辟校园第二课堂提出了新的形式和方法。     

普通白光光源应用于ALA-PDT的实验研究

本文根据线光源高压汞灯的特点设计了一个用于光动力疗法的光反应室 ,它输出的光功率连续可调 ,波段选择简单灵活     

Channel length influenced contribution of hole and electron trapping effect to threshold voltage stability in organic field effect transistors

Effect of channel length on hysteresis and threshold voltage shift in copper phthalocyanine (CuPc) based organic field effect transistors was studied. Contrary to expectation, longer channel length devices exhibited minimum threshold voltage shift. Influence of channel length on the contribution of hole and electron trapping to threshold voltage stability was determined. Shortest channel length devices exhibited highest electron trapping effect while longest channel devices exhibited minimum hole as well as electron trapping. Lower hole trap effect for longer channel length devices was suggested to be due to reduced longitudinal field between source and drain electrodes while minimum electron trapping was attributed to suppression of drain current by increased hole trap centres.     

基于声学传感器的可调式电子戒鼾器的设计

论述了基于声学传感器的电子戒鼾器的工作原理,介绍了设计等相关电路,给出基于声学传感器的电子戒鼾器的调试数据。调试结果表明,设计的电子戒鼾器的电路合理、可靠且具有不同的人可根据自身的情况来调节电子戒鼾器的输出电压功能。经临床试验,戒鼾效果良好,研制的电子戒鼾器具有很好的市场应用前景。     

电化学法制备CdSexTey薄膜及其光电性能

以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响.结果表明,在沉积电压为3.0V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V.X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm.能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53％,6.25％和14.52％,原子数分数分别为1.68％,1.42％和5.32％.对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85.